单晶硅废料提炼,硅石提炼单晶硅

多晶硅和单晶硅的区别，现在国内有很多多晶硅是因为单晶硅纯度高废料可以用来做多晶硅，但是废料这种东西很少见，如果只用单晶硅材料的话。在ultrapure 单晶硅中掺杂微量的ⅲA族元素，如硼，可以提高其导电性，形成P型硅半导体，多晶硅和单晶硅。

硅片的等级:MGSi→SeGSi→SoGSi 提炼它经过以下过程:石英砂→冶金级硅→ 提炼和精炼→多晶硅锭的沉积→ 单晶硅→硅片切割。冶金级硅MGSi 提炼硅的原始材料是二氧化硅，主要由砂组成。目前，石灰石，即二氧化硅的结晶岩石，在大型电弧炉中被碳还原:二氧化硅 2C→硅 2CO周期性地从炉中排出，用氧和氯的混合气体净化，然后倒入浅槽中固化，然后捣成块状。

MGSi转化为挥发性化合物，然后通过分馏进行冷凝和提纯。工艺方案:用Hcl将细碎的MGSi变成流体，用催化剂加速反应:Si 3Hcl→SiHcl3 H2MGSi→SiHcl3硅胶工业原料为提取MGSi的加热混合气，使SiHcl3被H2还原，硅以细晶多晶硅的形式沉积在电加热棒上，如右图所示:SiHCl 3 H2 → Si 3HCLSGSI提纯为SoGSi熔化SeGSi多晶硅，同时加入装置所需的微量掺杂剂

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一种制造多晶硅层的方法，包括:提供衬底；在所述衬底上形成非晶硅层，其中所述非晶硅层至少具有第一非晶硅区域和第二非晶硅区域；第一发明涉及一种通过完全熔化第一非晶硅区域并预热第二非晶硅区域来制造多晶硅层的方法。首先，提供基底，并在基底上形成非晶硅区域，非晶硅层具有第一非晶硅区域和第二非晶硅区域。

然后，用激光照射光掩模，使得第一非晶硅区域完全熔化，并且预热第二非晶硅区域，并且完全熔化的第一非晶硅区域结晶成第一多晶硅层。然后，移动光掩模或衬底，使得透光区域对应于预热的第二非晶硅区域。然后，用激光照射光掩模，使得预热的第二非晶硅区域完全熔化，并且完全熔化的第二非晶硅区域结晶成第二多晶硅层。在用于从硅熔体生长硅锭的Krousky-cut方法中，改进包括在温度为1000至约1100℃的硅锭区域中，在温差为20℃/cm或更小的受控温度下生长硅锭。